真空鍍膜的種（zhǒng）類

 在真空中製備膜層，包括鍍製晶態的金屬（shǔ）、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖（suī）然化學汽相沉積也（yě）采用（yòng）減壓、低壓或等離子體等真空（kōng）手段，但一般真空鍍膜是指用物（wù）理的方法沉積薄膜。真空鍍（dù）膜有三種形式，即蒸發鍍膜（mó）、濺射（shè）鍍膜和離子鍍（dù）。

蒸（zhēng）發鍍（dù）膜 通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表麵，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年（nián）提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。

蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內（nèi）或掛在熱絲（sī）上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待係統（tǒng）抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝（níng）方式沉積在基片表麵。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜（mó）厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間（或（huò）決定於裝料（liào）量），並與源和基（jī）片的距（jù）離有（yǒu）關。對於大麵積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發源的（de）方式以保證膜層厚度的均勻性。從（cóng）蒸發源到基片的距（jù）離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中（zhōng）的平均自由程，以免蒸氣分（fèn）子與（yǔ）殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸（zhēng）氣分子平均動能約為0.1～0.2電子（zǐ）伏。

蒸發源有三種類型。①電阻加熱源：用（yòng）難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔（bó）或絲狀,通以電流（liú）,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質,電阻加熱源主要用於蒸發Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感（gǎn）應加（jiā）熱源：用高（gāo）頻感應電流（liú）加熱坩堝（guō）和蒸發物質。③電子束加熱源：適用於蒸發溫度較（jiào）高（不低（dī）於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其（qí）蒸（zhēng）發。

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